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 聚力成半导体有限公司(GLC)，团队由国内外各大知名半导体公司华籍专家组成，旨在采用GaN核心技术以实现电力电子与射频领域的高速革命。
    高开关频率与高能效相结合，则电力系统可以在充电速度，功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
    在电力电子领域，GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
    在微波射频领域，GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。