磊晶制程部工程师
聚力成半导体（上海）有限公司
- 公司规模：150-500人
- 公司性质：合资
- 公司行业：电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期：2019-04-09
- 工作地点：上海
- 招聘人数：10人
- 工作经验：3-4年经验
- 学历要求：本科
- 职位月薪：1-1.5万/月
- 职位类别：半导体技术 工艺工程师
职位描述
?熟 AixtronMOCVD 及量测机台操作，程序编写
?负责 III-V(GaN,GaAs)外延片配方
?具III-V(GaN,GaAs)材料与MOCVD经验,熟悉Aixtron尤佳
?生产流程标准化建立
?生产异常处理
?良率提升
?降低成本规划与具体执行
?其他条件
?本科毕业，英文熟练，三年以上(GaN、GaAs)材料与外延技术
公司介绍
聚力成半导体有限公司(GLC)，团队由国内外各大知名半导体公司华籍专家组成，旨在采用GaN核心技术以实现电力电子与射频领域的高速革命。
高开关频率与高能效相结合，则电力系统可以在充电速度，功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域，GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
在微波射频领域，GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
高开关频率与高能效相结合，则电力系统可以在充电速度，功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域，GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
在微波射频领域，GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
联系方式
- 公司地址：地址：span祥科路58号B栋6层616室