上海招聘

职位描述：
General requirement: bachelor or master degree above, graduated from EE, physics, electrical material science and related field. 3 years work experience in power discrete design and simulation.

Responsibility:
a. Be in charge of device design and development, including trench MOSFET, SGT, Super Junction MOSFET, LDMOS, IGBT, and other devices.
b. Work including process simulation, device simulation, layout, device characteriza-tion, device reliability and qualification,
c. release the device design rule to other team

Special requirement:
a. Skilled in TCAD software, such as Silvaco Taurus or Sentaurus
b. Can draw test pattern layout with layout tools, such as laker, virtuoso
c. Skilled in device characterization instruments, such as B1505, HP4155, HP8753D and HP4284
d. Basic knowledge in semiconductor process flow

    安海半导体集团（ANHI Semiconductor Group）是由具备功率半导体行业超过20年经验的团队组建而成，专注于高性能模拟及功率半导体技术与产品的开发。公司总投资2.195亿人民币，富士康旗下基金公司为主要投资机构（富士康集团是全球著名的模拟功率半导体采购商）。公司主要目标应用领域为消费电子、电源、汽车、工业、家电和能源领域。本公司具备强大的工艺技术和器件开发能力，具备诸如台积电等国际一流晶圆厂资源和封装测试厂资源，具备强大的销售渠道和市场开拓能力。我们努力打造将工艺技术、器件设计和电路设计相结合的模拟及功率半导体公司，打破国际厂商的垄断，实现该领域国产化。公司总部设在济南，在上海、成都、广州、长沙及台湾设立全资子公司和研发中心。
    公司为员工提供完善的福利、有竞争力的薪酬体系和良好的职业发展空间。欢迎有志者加入安海半导体，共同努力，为国家的模拟及功率半导体事业做出贡献。

公司联系方式：
公司总部：山东济南市经十东路7000号汉峪金谷A1-3幢12楼
上海研发中心：上海市宜山路888号新银大厦1505~1508室，1703室
成都子公司（成都稳海半导体有限公司）：四川成都市天府大道中段1366号天府软件园E6-1之9楼B05~09室
广州分公司：广东广州市新民路222号天盈大厦西塔35楼
联系邮箱：xhu@anhisemi.com