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  达新半导体有限公司是一家中外合资的高科技公司，注册资金1600万元人民币。公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。本部设立在浙江省宁波的余姚市，在上海设有设计中心，深圳设有销售办事处。
  达新半导体团队拥有多年海内外功率半导体芯片研发和制造经验，创始人具备率先实现中国IGBT芯片量产和销售的产业化经验。公司拥有国际领先的IGBT，MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺技术，建有国内领先的的功率半导体器件测试、应用及可靠性试验室。
在IGBT芯片技术突破基础上，2016年推出多达二十种IGBT芯片，均为国内空白的产品，其中新能源汽车用650V 200A和1200V 200A IGBT二款芯片***次流片产出，采用国际最先进的沟槽型场截止技术，是国内***家开发出这种技术大电流IGBT芯片企业，其技术比比亚迪电动汽车上自产IGBT先进三代，预计2017年下半年定型量产。
公司团队在8寸和6寸晶园制造平台上同时开发成功国际最先进的沟槽型场终止IGBT技术（第五代技术），并开发出600V, 1200V和1700V的 8寸及6寸IGBT芯片，芯片核心指标接近国际最先进的产品指标。 公司具备了从二代技术(平面型NPT),三代技术(平面型FS),四代技术(沟糟型NPT),五代技术(沟糟型FS)全部IGBT技术，8寸和6寸IGBT芯片开发和量产能力。达新能够制造从600V至1700V， 可满足所有大部分应用领域的IGBT产品，达新IGBT达到了国内绝对领先和国际先进水平。
   公司秉承“创新、品质、诚信、共赢”的经营理念，寻求产业链各方合作，发挥各方优势，实现互惠共赢，创建中国的IGBT核心产业。