高级器件工程师
大连芯冠科技有限公司
- 公司规模:50-150人
- 公司性质:民营公司
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2021-01-14
- 工作地点:大连-高新园区
- 招聘人数:1人
- 工作经验:3-4年经验
- 学历要求:硕士
- 职位月薪:1-1.5万/月
- 职位类别:其他
职位描述
1、负责氮化镓功率器件的设计与开发:与材料部协作共同开发满足产品需求的外延结构;
2、设计器件结构并通过理论计算或计算机模拟对新结构进行可行性论证;针对产品技术指标要求,进行器件版图设计和绘制;
3、器件技术开发:针对下一代产品要求或项目需求,开发新型器件结构;能够熟练应用半导体物理知识,分析和解决器件技术问题;与工艺部协作制定工艺流程方案,并解决关键技术问题;提出新的技术思路和想法,撰写专利;
4、建立产品评价方案:制定并实施器件PCM测试和终测方案;开发产品评价的测试技术,充分挖掘器件物理问题。
岗位任职能力:
1、硕士以上学历,半导体器件、微电子学、固态物理相关专业;
2、应届生有GaN、SiC、Si功率器件研究项目经历,或GaN、GaAs射频器件,LDMOS研究项目经历;
3、曾专门从事氮化镓半导体电子器件的研究和产品,有半导体企业生产线上开发或制造经验者优先;
4、熟悉半导体器件物理和固体物理、微波工程相关知识或电力电子相关知识,熟悉光刻、刻蚀、蒸发等各单步工艺及其工艺流程的整合;
5、熟练掌握常用的半导体器件计算机模拟软件,熟练掌握版图制作软件,熟悉微波电路仿真软件;
6、优秀的团队精神、交流能力和技术文档撰写能力与习惯,良好的英文书写能力,以及和外籍专家流利交流的听说能力。
职能类别:其他
公司介绍
大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月,注册资本9183万元,位于辽宁省大连市高新技术产业园区,是一家由海外归国团队创立的半导体高科技企业。采用了整合设计与制造(IDM)的商业模式,开展以氮化镓为代表的第三代半导体外延材料和电子器件的研发与产业化。
公司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统。在电力电子领域,公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产,并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品,主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。
公司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统。在电力电子领域,公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产,并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品,主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。
联系方式
- 公司地址:地址:span大连市高新区信达街57号7号楼