磊晶研发工程师
聚力成半导体（重庆）有限公司
- 公司规模：150-500人
- 公司性质：外资（非欧美）
- 公司行业：电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期：2021-06-04
- 工作地点：重庆-大足区
- 招聘人数：2人
- 工作经验：3-4年经验
- 学历要求：硕士
- 职位月薪：20-30万/年
- 职位类别：半导体技术
职位描述
1、熟 AixtronMOCVD 机台操作，程序编写
2、负责 III-V(GaN,GaAs)外延片配方
3、负责客户样品制作与送样追踪
4、产品规格与检验标准订定。
任职条件：
1、硕士以上专业
2、熟悉Ⅲ-Ⅴ(GaN,GaAs)材料与磊晶技术
3、熟悉Ⅲ-Ⅴ(GaN,GaAs)MOCVD系统及相关附属设备
4、3年以上(GaN、GaAs)材料与外延技术经验
公司介绍
聚力成半导体有限公司(GLC)，团队由国内外各大知名半导体公司华籍专家组成，旨在采用GaN核心技术以实现电力电子与射频领域的高速革命。
高开关频率与高能效相结合，则电力系统可以在充电速度，功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域，GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
在微波射频领域，GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
目前，GLC於重庆市大足区建设一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线，总投资约50亿人民币。
GLC以 "坚持", "务实", "敏捷", "品质", "承诺"五个核心价值来创造公司的文化，成为客户值得信赖的国际性第三代化合物半导体制造企业。
公司地址：
重庆市江北区创富路3号科技金融中心2号楼6层
重庆市大足区高新技术产业开发区
江苏省盐城市盐都区盐渎路900号盐城国家高新区创新中心A栋602室
高开关频率与高能效相结合，则电力系统可以在充电速度，功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域，GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
在微波射频领域，GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
目前，GLC於重庆市大足区建设一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线，总投资约50亿人民币。
GLC以 "坚持", "务实", "敏捷", "品质", "承诺"五个核心价值来创造公司的文化，成为客户值得信赖的国际性第三代化合物半导体制造企业。
公司地址：
重庆市江北区创富路3号科技金融中心2号楼6层
重庆市大足区高新技术产业开发区
江苏省盐城市盐都区盐渎路900号盐城国家高新区创新中心A栋602室
联系方式
- 公司地址：地址：br重庆市江北区创富路3号科技金融中心2号楼6层